[기업] SK하이닉스 "차세대 HBM4E, 내년 양산 목표...1c나노 적용"

SK하이닉스는 6세대 고대역폭 메모리 HBM4의 개선판인 7세대 HBM4E를 내년에 양산할 계획이라고 밝혔습니다.

SK하이닉스는 올해 1분기 실적에 대한 컨퍼런스콜에서 HBM4E은 하반기 샘플 공급에 나설 계획이고, 내년 양산을 목표로 순조롭게 개발하고 있다고 설명했습니다.

이어 HBM4E에 사용할 베이스다이는 고객사가 요구하는 성능에 부합하는 최적의 기술로 원활하게 개발이 진행 중이라며, 코어다이는 1c 공정을 적용할 예정이라고 덧붙였습니다.

HBM은 데이터 저장 공간인 코어다이와 이를 적층한 컨트롤러 역할의 베이스다이를 핵심 부품으로 구성됩니다.