삼성전자가 8세대 고대역폭메모리(HBM5)의 첫 실물모형(목업)을 공개하며 차세대 HBM 기술 선점에 대한 의지를 드러냈습니다.
송재혁 삼성전자 CTO(최고기술책임자)는 2일 타이완 타이베이에서 열린 `컴퓨텍스 2026`의 삼성디스플레이 부스에서 기자들과 만나 "급변하는 AI 산업에 대응하기 위해서는 메모리·파운드리·로직·패키징까지 아우르는 토탈 설루션 경쟁력이 더욱 중요해지고 있다"고 말했습니다.
이어 "종합 예술과도 같은 AI 기술을 삼성전자가 종합 반도체 회사로서 충분히 서포트할 수 있다는 점을 이번 전시에서 강조했다"고 말했습니다.
삼성전자는 이날 HBM5 목업을 공식적으로 처음 공개하고 HBM5에 처음으로 적용될 핵심 열관리 기술 `HPB(Heat Path Block)` 구조를 소개했습니다.
삼성전자는 HBM5에 1c(10나노급 6세대) D램과 2나노 공정을 선제적으로 적용할 계획입니다.
HPB는 AI 메모리의 성능을 높이는 과정에서 발생할 수 있는 발열 문제를 해결하기 위한 기술로, 다이와 다이 사이의 물리적 표면에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 분산·방출할 수 있도록 설계됐습니다.
삼성전자는 이미 HBM4E 기반으로 HPB 기술 구현 및 검증을 완료했습니다.
향후 HBM5부터 본격 적용해 성능과 안정성을 더욱 고도화할 계획입니다.
송 사장은 "고객이 요구하는 메모리 대역폭을 최고로 높이는 과정에서 베이스 다이 특정 영역에 발열 문제가 발생할 수 있는데, 여기에 일종의 굴뚝 같은 구조를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높였다"고 말했습니다.
이어 "HBM5에 첫 적용을 계획하고 있지만 고객의 요구에 따라 적용 시점은 당길 수 있다"고 말했습니다.
오디오ㅣAI앵커
제작ㅣ이 선
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