SK하이닉스, 미 인디애나에 HBM 생산공장..."연 수십만 장 규모"

인공지능(AI) 산업의 핵심 요소인 첨단 고대역폭 메모리, HBM이 우리 기업의 손으로 미국에서 처음 만들어집니다.

SK하이닉스는 현지 시간 27일 미 인디애나주 웨스트라피엣에서 차세대 HBM 어드밴스드 패키징 공장기공식을 열었습니다.

SK하이닉스가 미국에서 건설하는 첫 생산기지로, 오는 2029년 하반기부터 HBM 양산을 시작으로 생산 규모는 연간 수십만 장 분량을 목표로 합니다.

지금까지 미국에서 생산된 적 없는 HBM이 한국 기업에 의해 처음 만들어지는 건데, 엔비디아를 비롯한 미 거대 기술기업들이 SK하이닉스의 '메이드 인(Made in) USA' HBM을 사용하게 될 예정입니다.

기공식에 참석한 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 팹의 HBM 생산 능력이 연간 수십만 장이 될 것이라고 밝혔습니다.

매년 이 공장에서 D램(RAM) 웨이퍼 수십만 장을 토대로 후공정을 통해 HBM을 만들겠다는 뜻입니다.

곽 사장은 "인디애나 프로젝트는 미 최초 HBM 생산 거점을 구축하는 것"이라며 "메이드 인 USA HBM을 처음 공급하는 핵심 거점이자, 미 반도체 공급망을 강화하고 경제·안보에 기여하는 주요 기반이 될 것"이라고 말했습니다.

AI 기술 패권을 유지하려는 미국이 자국에서 만들어진 HBM을 사용해 AI 가속기를 개발한다는 점에서, 미국산을 강조하는 도널드 트럼프 행정부의 정책 기조에도 부합하는 측면이 있어 보입니다.

SK하이닉스는 인디애나 팹 건설에 약 40억 달러를 투자하는데, 미국 정부는 반도체법(Chips Act·칩스법)에 따라 최대 4억 5천만 달러의 보조금과 5억 달러의 대출을 제공합니다.

인디애나 팹은 한국에서 생산된 D램 칩들을 묶거나 쌓아 HBM을 만드는 어드밴스드 패키징(후공정)과 차세대 HBM 연구·개발(R&D)을 병행합니다.

현재 SK하이닉스가 생산하는 최신 HBM은 D램을 12장 쌓은 6세대(HBM4)로, 엔비디아의 최첨단 AI 가속기인 '베라 루빈'에도 탑재되는 제품입니다.

엔비디아가 AI 가속기 성능을 지속적으로 높일 계획인 만큼, SK하이닉스가 인디애나 팹에서 생산할 HBM도 6세대가 아닌 차세대가 될 가능성이 큽니다.

현재 SK하이닉스는 7세대(HBM4E)를 개발 중입니다.

SK하이닉스는 차세대 HBM 개발과 테스트를 위해 엔지니어링 분야에서 실력을 인정받는 미 퍼듀대학교와 합작하는 R&D 강화 양해각서(MOU)를 맺었습니다.

이를 통해 퍼듀대의 우수 인재를 유치하겠다는 계획입니다.

공장을 건설 중인 곳도 웨스트라피엣에 있는 퍼듀대 부로 팹이 본격 가동되면 약 1천명 규모의 인력이 일하게 될 예정입니다.

팹 건설 및 운영 인력과 100여 개 협력 소재·부품·장비 공급망을 고려하면 약 7천 명의 직·간접 일자리 창출이 기대된다고 곽 사장은 소개했습니다.

이날 기공식에는 곽 사장을 비롯해 강경화 주미한국대사와 마이크 브런 인디애나 주지사, 토드 영(공화·인디애나) 연방 상원의원 등이 참석했습니다.

YTN 신윤정 (yjshine@ytn.co.kr)