불법 유출 기술로 D램 개발...삼성전자 전 임원 등 기소

불법 유출된 반도체 국가핵심기술로 중국 기업에서 18나노 D램을 개발한 전 삼성전자 임원과 연구원들이 구속 상태로 재판에 넘겨졌습니다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 삼성전자 전 임원 양 모 씨와 전 연구원 신 모 씨와 권 모 씨 등 3명을 산업기술보호법 위반 등의 혐의로 구속기소 했습니다.

양 씨 등은 삼성전자에서 중국의 반도체 회사로 이직한 뒤 불법으로 유출된 18나노 D램 공정 국가 핵심기술을 사용해 D램을 개발한 혐의를 받습니다.

유출된 기술은 삼성전자가 1조6천억 원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 공정기술로 파악됐습니다.

양 씨 등은 중국 기업으로부터 삼성전자 연봉의 최대 5배를 약속받은 것으로 조사됐습니다.


YTN 김영수 (yskim24@ytn.co.kr)