삼성전자 반도체 기술 중국 유출 혐의 전 임원 구속

삼성전자의 반도체 핵심 기술인 20나노급 D램 공정기술자료을 중국에 넘긴 혐의를 받는 삼성전자 전직 임원과 연구원이 구속됐습니다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 어제(5일) 부정경쟁방지법 위반 혐의를 받는 삼성전자 전직 임원 최 모 씨와 삼성전자 전 수석 연구원 오 모 씨를 구속했습니다.

이들은 지난 2014년 20나노급 반도체를 만드는 데 필요한 핵심 정보를 중국 청두가오전에 유출한 혐의를 받습니다.

경찰은 이들이 사실상 삼성전자의 독자 반도체 기술 대부분을 중국에 넘긴 것으로 보고 있습니다.

앞서 청두가오전을 설립한 최 씨는 삼성전자 상무를 지냈는데, 삼성전자 반도체 공장 설계도를 빼내 복제공장을 세우려 한 혐의로 지난해 구속됐다가 보석으로 석방됐습니다.

지난 1월에는 경찰이 오 씨에 대한 구속영장을 신청했지만, 재판부는 오 씨에 대한 방어권을 보장해 줄 필요 등이 있다며 기각했습니다.

보완수사를 거친 경찰은 지난 2일, 두 사람에 대한 구속영장을 신청했습니다.


YTN 윤태인 (ytaein@ytn.co.kr)