삼성 반도체 기술 중국에 유출..."수십조 피해 예상"

삼성전자, 2016년 ’10나노대 D램’ 세계 최초 양산
중국 업체에 유출…전 연구원이 종이에 직접 베껴
창신메모리, 삼성 전 임직원 영입해 기술확보 시도
SK하이닉스 기술도 확보…재작년 10나노대 D램 양산

[앵커]
반도체 산업은 우리 경제를 이끄는 핵심축이죠.

그런데 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 기술이 중국으로 유출되는 일이 벌어졌습니다.

검찰은 삼성전자 전 임직원들을 재판에 넘겼는데, 이로 인한 피해는 수십조 원에 달할 거로 추정됩니다.

안동준 기자의 보도입니다.

[기자]
삼성전자는 5년간 1조6천억 원을 투자해 지난 2016년, 세계 최초로 10나노대 D램 양산에 성공했습니다.

그런데 얼마 뒤 이 공정기술은 중국의 반도체 업체, 창신메모리의 손에 들어가게 됐습니다.

삼성전자의 핵심 연구원이었던 A 씨가 이직하면서, 종이에 베껴 적은 공정정보를 유출했기 때문입니다.

중국 지방정부의 출자를 통해 설립된 창신메모리는 삼성전자 부장 출신 B 씨 등을 영입하며 기술 확보에 나섰습니다.

공정기술을 확보한 이후에는 전 임직원들을 추가 영입해 개발에 나섰고, SK하이닉스 협력업체를 통해 기술을 추가로 확보했습니다.

유출된 정보를 취득한 창신메모리는 결국, 재작년 중국 최초이자 세계 4번째로 10나노대 D램 양산에 성공했습니다.

B 씨 등은 비료회사에 취직하는 것처럼 속여 경쟁사 이직 금지 조항을 피했고, 출국금지나 체포를 당할 때 공유할 암호도 만들었습니다.

그러나 B 씨가 다른 사건으로 수사를 받던 중 검찰이 반도체 기술 유출 정황을 포착하며, 수사가 시작됐습니다.

검찰은 필적감정을 의뢰해 공정기술을 필사해 유출한 A 씨의 신원 또한 파악했습니다.

검찰은 B 씨 등 5명을 산업기술보호법 위반 혐의로 구속 기소하고, 파트별 개발책임자 5명도 불구속 상태로 재판에 넘겼습니다.

[김윤용 / 서울중앙지검 부장검사 : 유출된 기술을 부정 사용하여 중국 현지에서 최종 양산에까지 나아간 범행의 전모를 규명하였습니다.]

다만, 공정기술을 직접 유출한 A 씨 신병은 끝내 확보하지 못했습니다.

검찰은 A 씨를 인터폴 적색수배하고 여권 무효화 조치를 했지만, 중국 정부에서 협조하지 않아 신병 확보가 어려운 상황이라고 밝혔습니다.

검찰은 이번 범행으로 국가 경제에 발생할 피해액이 최소 수십조 원에 달할 거로 추정했습니다.

YTN 안동준입니다.

촬영기자 : 최성훈
영상편집 : 김민경
디자인 : 임샛별


YTN 안동준 (eastjun@ytn.co.kr)